오늘 오전 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 '세계 최초 3나노 반도체 양산 출하식'이 열렸다.

삼성전자가 오늘 세계 최초로 3나노(3nm) 공정을 통한 파운드리(반도체 위탁생산) 제품 양산에 성공했습니다. 1나노미터는 10억 분의 1m로, 3나노는 머리카락 굵기의 10만 분의 3 정도에 해당합니다. 삼성전자의 3나노 양산은 업계 1위인 대만 TSMC보다 앞선 것입니다.

삼성전자는 오늘 경기 화성캠퍼스 V1라인에서 차세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 열었습니다. 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관과 경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문장(사장), 협력사 대표 등 100여명이 참석했습니다.

 삼성전자 관계자들이 3나노 반도체 웨이퍼를 옮기고 있다.

삼성전자가 업계 최초로 적용한 GAA는 트랜지스터에 전류가 흐르는 면적을 3개면에서 4개면으로 넓힌 겁니다. 기존 핀펫 기술보다 전력 소모는 45% 줄이면서 성능은 23% 향상했습니다.

삼성전자는 2000년대 초부터 GAA 트랜지스터 구조 연구를 시작해 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용했습니다. 지난달엔 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산 계획을 발표했습니다.

삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고 주요 고객들과 모바일 SoC(시스템온칩) 제품 등에 확대할 계획입니다.

경 사장은 행사에서 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 밝혔습니다.

이 장관은 축사를 통해 “앞으로도 3나노 공정이 높은 수율(결함이 없는 합격품의 비율)을 확보해 안정적으로 안착하려면 업계가 힘을 모아야 한다”며 정부도 지원에 나서겠다고 밝혔습니다.

강유현 기자 yhkang@donga.com