옆에 있던 메모리를 위로…삼성, ‘HBM 8배 성능’ zHBM 첫 선
(출처=삼성전자 제공)
기존 고대역폭메모리(HBM)의 성능 한계를 극복하기 위한 차세대 3D 메모리 아키텍처와 400단 이상 초고적층 낸드 기술을 선보이며 AI 메모리 경쟁력 강화에 나섰습니다.
삼성전자는 4일부터 6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업(Mock-up)을 업계 최초로 공개했다고 밝혔습니다.
가장 주목받은 기술은 zHBM입니다. 기존에는 AI 가속기 옆에 배치하던 HBM을 AI 가속기 상단에 수직으로 쌓는 구조로, 데이터 이동 거리를 크게 줄여 성능과 전력 효율을 높인 것이 특징입니다.
(출처=삼성전자 제공)삼성전자는 zHBM 기반 차세대 인터페이스 시스템이 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 최대 3배 향상된 전력 효율을 구현할 수 있다고 설명했습니다. 또 열이 더 잘 빠져나가도록 설계해 발열 관리 성능도 높였다고 밝혔습니다.
낸드 분야에서는 온디바이스 AI에 최적화된 차세대 고성능 낸드 zNAND-O를 공개했습니다. 삼성전자는 GPT 기반 AI 모델 시험에서 기존 D램 서버와 비슷한 처리 성능을 유지하면서도 비용은 6분의 1 수준이었다고 설명했습니다.
이와 함께 업계 최초로 400단 이상 쌓은 10세대 'V10 BV-NAND'도 선보였습니다. 이전 세대보다 메모리 집적도를 약 58% 높여 동일한 칩 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 했습니다.
삼성전자는 이번 행사에서 HBM4E와 HBM5, 기업용 SSD 등 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅을 위한 다양한 차세대 메모리·스토리지 제품도 함께 전시했습니다.
삼성전자는 이번에 공개한 차세대 메모리를 앞세워 AI 데이터센터와 온디바이스 AI 시장을 동시에 공략한다는 전략입니다.
김태욱 기자 wook2@ichannela.com