사진=중국 반도체 회사 '청두가오전' 홈페이지 캡처

삼성 반도체 핵심 기술을 중국에 빼돌린 전직 삼성전자 임원과 수석연구원 등 2명이 구속 상태로 검찰에 송치됐습니다.

경찰은 이 사건과 관련해 중국 회사로 이직한 삼성전자 등 국내 업체 전직 임직원 30여 명도 추가 입건한 상태입니다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 오늘(10일) 삼성전자 반도체 부문 임원을 지낸 A씨와 전직 수석연구원 B씨를 산업기술법 위반 등 혐의로 구속 송치했다고 밝혔습니다.

이들은 지난 2020년 9월쯤 중국 지방정부와 합작으로 반도체 제조업체 '청두가오전'을 설립했습니다.

이어 국내 반도체 전문 인력을 대거 이 회사로 이직시켜 삼성전자 독자 기술인 20나노급(18나노·20나노) D램 메모리 반도체 핵심 기술을 유출, 부정 사용한 혐의를 받습니다.

지난해 2월쯤 관련 첩보를 입수한 경찰은 중국 현지에서 관련자 진술과 기술 자료를 확보한 뒤 이들 주거지와 사무실을 압수수색하며 수사를 벌여왔습니다.

이번에 유출된 반도체 공정 기술은 삼성전자가 개발 비용에만 총 4조 3000억 원을 쏟아 부은 기술로, 경제효과 등을 감안할 때 실제 피해 금액은 가늠하기 어려운 수준이라고 경찰은 설명했습니다.

청두가오전은 지난해 6월 20나노급 D램 개발에 성공해 양산을 준비해왔으나 이번 수사로 공장 운영이 중단돼 유출된 기술로 인한 실질적 수익은 없는 것으로 파악됐습니다.

경찰은 이 회사로 이직한 핵심 기술인력 30여 명도 추가 입건하고, 채용 과정에서 불법 인력 유출이 있었는지 등에 대한 수사를 이어갈 방침입니다.